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      <title>太阳能电池读书笔记</title>
      <link>https://solarcell-notes.com</link>
      <description>最近的10条笔记 on 太阳能电池读书笔记</description>
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    <title>太阳能电池读书笔记</title>
    <link>https://solarcell-notes.com/</link>
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    <description><![CDATA[ 这是一个个人的技术笔记站,主要记录阅读光伏文献时的摘要和思考,重点是 III-V 族多结薄膜电池,尤其是三结 GaAs 体系。 文献笔记 倒置变质三结电池:低应力底电池设计 Geisz 2008:优化的倒置变质三结电池 薄膜 III-V 电池的外延剥离工艺 说明 笔记为个人阅读后的转述与整理,不是原文翻译。每篇末尾列出了原始出处,请以原文为准。. ]]></description>
    <pubDate>Sat, 07 Nov 2026 15:59:24 GMT</pubDate>
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    <title>薄膜 III-V 电池的外延剥离工艺</title>
    <link>https://solarcell-notes.com/elo-thin-film-iii-v</link>
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    <description><![CDATA[ 一句话概括 MicroLink Devices 的一项美国专利(US 7,994,419)描述了用外延剥离(ELO)制造薄膜 III-V 太阳能电池的方法,核心是让昂贵的衬底可以反复使用。 工艺流程 外延生长时,在衬底与电池之间先长一层牺牲层。 剥离前,在电池表面粘上一层支撑层,用来在衬底去掉之后托住很薄的电池。 腐蚀掉牺牲层,电池就从衬底上脱离。 衬底回收,可以再用来长下一片电池。 值得注意的地方 专利摘要主要讲工艺本身,没有给出效率等实验数据。 思路很直接:把电池做薄,既减重又能弯曲,同时把贵的衬底从一次性消耗品变成可重复使用的工具。 与上一篇的倒置结构配合时,衬底去除这一步正是整个流程的... ]]></description>
    <pubDate>Sat, 07 Nov 2026 15:59:11 GMT</pubDate>
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    <title>Geisz 2008:优化的倒置变质三结电池</title>
    <link>https://solarcell-notes.com/geisz-2008-imm</link>
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    <description><![CDATA[ 一句话概括 John F. ]]></description>
    <pubDate>Sat, 07 Nov 2026 15:59:11 GMT</pubDate>
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    <title>倒置变质三结电池:低应力底电池设计</title>
    <link>https://solarcell-notes.com/nrel-low-stress-imm</link>
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    <description><![CDATA[ 一句话概括 NREL 的一份会议预印本,介绍了两种不含锗衬底层、超薄的 GaInP/(In)GaAs/InGaAs 倒置三结电池,重点是用低应力的变质结把位错密度压到很低。 结构思路 “倒置”指的是生长顺序:先长带隙最大的顶电池,最后才长带隙最小、与 GaAs 晶格失配的底电池。这样晶格匹配的部分先在 GaAs 衬底上长好,失配带来的缺陷只留在最后几层,对前面的电池影响更小。生长完成后翻转、转移到支撑体上,再去掉衬底,得到很薄的器件。 两种设计 设计一设计二带隙组合(eV)1.83 / 1.40 / 1.001.83 / 1.34 / 0.89变质结数量1 个2 个一个太阳下效率33.8%33... ]]></description>
    <pubDate>Sat, 07 Nov 2026 15:59:11 GMT</pubDate>
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